數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)總復(fù)習(xí)要點(diǎn)
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數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)總復(fù)習(xí)要點(diǎn)
數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)總復(fù)習(xí)要點(diǎn)
一、 填空題
第一章
1、變化規(guī)律在時(shí)間上和數(shù)量上都是離散是信號(hào)稱(chēng)為數(shù)字信號(hào)。
2、變化規(guī)律在時(shí)間或數(shù)值上是連續(xù)的信號(hào)稱(chēng)為模擬信號(hào)。
3、 不同數(shù)制間的轉(zhuǎn)換。
4、 反碼、補(bǔ)碼的運(yùn)算。
5、8421碼中每一位的權(quán)是固定不變的,它屬于恒權(quán)代碼。
6、格雷碼的最大優(yōu)點(diǎn)就在于它相鄰兩個(gè)代碼之間只有一位發(fā)生變化。
第二章
1、 邏輯代數(shù)的基本運(yùn)算有與、或、非三種。
2、 只有決定事物結(jié)果的全部條件同時(shí)具備時(shí),結(jié)果才發(fā)生。這種因果關(guān)系稱(chēng)為邏輯與,或稱(chēng)邏輯相乘。
3、 在決定事物結(jié)果的諸條件中只要有任何一個(gè)滿(mǎn)足,結(jié)果就會(huì)發(fā)生。這種因果關(guān)系稱(chēng)為邏輯或,也稱(chēng)邏輯相加。
4、 只要條件具備了,結(jié)果便不會(huì)發(fā)生;而條件不具備時(shí),結(jié)果一定發(fā)生。這種因果關(guān)系稱(chēng)為邏輯非,也稱(chēng)邏輯求反。
5、 邏輯代數(shù)的基本運(yùn)算有重疊律、互補(bǔ)律、結(jié)合律、分配律、反演律、還原律等。舉例說(shuō)明。
6、 對(duì)偶表達(dá)式的書(shū)寫(xiě)。
7、 邏輯該函數(shù)的表示方法有:真值表、邏輯函數(shù)式、邏輯圖、波形圖、卡諾圖、硬件描述語(yǔ)言等。
8、 在n變量邏輯函數(shù)中,若m為包含n個(gè)因子的乘積項(xiàng),而且這n個(gè)變量均以原變量或反變量的形式在m中出現(xiàn)一次,則稱(chēng)m為該組變量的最小項(xiàng)。
9、 n變量的最小項(xiàng)應(yīng)有2n個(gè)。
10、 最小項(xiàng)的重要性質(zhì)有:①在輸入變量的任何取值下必有一個(gè)最小項(xiàng),而且僅有一個(gè)最小項(xiàng)的值為1;②全體最小項(xiàng)之和為1;③任意兩個(gè)最小項(xiàng)的乘積為0;④具有相鄰性的兩個(gè)最小項(xiàng)之和可以合并成一項(xiàng)并消去一對(duì)因子。
11、 若兩個(gè)最小項(xiàng)只有一個(gè)因子不同,則稱(chēng)這兩個(gè)最小項(xiàng)具有相鄰性。
12、 邏輯函數(shù)形式之間的變換。(與或式—與非式—或非式--與或非式等)
13、 化簡(jiǎn)邏輯函數(shù)常用的方法有:公式化簡(jiǎn)法、卡諾圖化簡(jiǎn)法、Q-M法等。
14、 公式化簡(jiǎn)法經(jīng)常使用的方法有:并項(xiàng)法、吸收法、消項(xiàng)法、消因子法、配項(xiàng)法等。
15、 卡諾圖化簡(jiǎn)法的步驟有:①將函數(shù)化為最小項(xiàng)之和的形式;②畫(huà)出表示該邏輯函數(shù)的卡諾圖;③找出可以合并的最小項(xiàng);④選取化簡(jiǎn)后的乘積項(xiàng)。
16、 卡諾圖法化簡(jiǎn)邏輯函數(shù)選取化簡(jiǎn)后的乘積項(xiàng)的選取原則是:①乘積項(xiàng)應(yīng)包
含函數(shù)式中所有的最小項(xiàng);②所用的乘積項(xiàng)數(shù)目最少;③每個(gè)乘積項(xiàng)包含的因子最少。
第三章
1、 用以實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的單元電路稱(chēng)為門(mén)電路。
2、 CMOS電路在使用時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):①輸入電路要采用靜電防護(hù);②輸入電路要采取過(guò)流保護(hù);③電路鎖定效應(yīng)的防護(hù)。
3、 COMS電路的靜電防護(hù)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):①采用金屬屏蔽層包裝;②無(wú)靜電操作;③不用的輸入端不能懸空。
4、 CMOS電路的輸入電路過(guò)流保護(hù)措施有:①信號(hào)源內(nèi)阻太低時(shí),在輸入端與信號(hào)源之間串接保護(hù)電阻;②輸入端接有大電容時(shí),在輸入端與電容之間接入保護(hù)電阻;③輸入端接長(zhǎng)線(xiàn)時(shí),在門(mén)電路的輸入端接入保護(hù)電阻。 5、 目前,應(yīng)用最廣泛的集成門(mén)電路有CMOS和TTL兩大類(lèi)。 6、 集成門(mén)電路的外特性包含兩個(gè)內(nèi)容:①邏輯功能,即輸入輸出之間的邏輯關(guān)系;②外部的電氣特性,包括電壓傳輸特性、輸入特性、輸出特性和動(dòng)態(tài)特性等。
第四章
1、 根據(jù)邏輯功能的不同特點(diǎn),可以將數(shù)字電路分成兩大類(lèi),一類(lèi)稱(chēng)為組合邏
輯電路,另一類(lèi)稱(chēng)為時(shí)序邏輯電路。
2、 組合邏輯電路在邏輯功能上的共同特點(diǎn)是:任意時(shí)刻的輸出僅僅取決于該
時(shí)刻的輸入,與電路原來(lái)的狀態(tài)無(wú)關(guān)。 3、 組合邏輯電路在電路結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)是:只包含門(mén)電路,而沒(méi)有存儲(chǔ)(記憶)
單元。
4、 組合邏輯電路的分析步驟為:①根據(jù)邏輯圖,逐級(jí)寫(xiě)出輸入輸入關(guān)系的邏輯函數(shù)表達(dá)式;②利用公式法或卡諾圖法化簡(jiǎn)邏輯函數(shù);③將邏輯函數(shù)式轉(zhuǎn)換為真值表的形式;④判明邏輯電路的邏輯功能。 5、 設(shè)計(jì)組合邏輯電路,就是根據(jù)給定的實(shí)際邏輯問(wèn)題,求出實(shí)現(xiàn)這一邏輯功能的最簡(jiǎn)邏輯電路。所謂最簡(jiǎn)就是指:電路所用的器件數(shù)最少、器件的種類(lèi)最少、而且器件間的連線(xiàn)也最少。
6、 組合邏輯電路的設(shè)計(jì)步驟為:①進(jìn)行邏輯抽象,列真值表;②將真值表轉(zhuǎn)換為邏輯函數(shù)表達(dá)式,并加以化簡(jiǎn);③選定器件類(lèi)型;④將邏輯函數(shù)變換為適當(dāng)?shù)男问?;⑤?huà)邏輯電路圖;⑥工藝設(shè)計(jì)。
7、 常用的組合邏輯電路包括編碼器、譯碼器、數(shù)據(jù)選擇器、數(shù)值比較器、加法器、函數(shù)發(fā)生器、奇偶校驗(yàn)器、奇偶發(fā)生器等
8、 門(mén)電路的兩個(gè)輸入信號(hào)同時(shí)向相反的邏輯電平跳變的現(xiàn)象稱(chēng)為競(jìng)爭(zhēng)。有競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)象時(shí)不一定都會(huì)產(chǎn)生尖峰脈沖。
9、 由于競(jìng)爭(zhēng)而在電路輸出端可能產(chǎn)生尖峰脈沖的現(xiàn)象就稱(chēng)為競(jìng)爭(zhēng)-冒險(xiǎn)。
10、 消除競(jìng)爭(zhēng)-冒險(xiǎn)現(xiàn)象的方法有:接入濾波電容、引入選通脈沖、修改邏輯設(shè)計(jì)。
第五章
1、 能夠存儲(chǔ)1位二值信號(hào)的基本單元電路統(tǒng)稱(chēng)為觸發(fā)器。
2、 觸發(fā)器必須具備以下兩個(gè)基本特點(diǎn):①具有兩個(gè)能自行保持的穩(wěn)定狀態(tài);②在觸發(fā)信號(hào)的操作下,根據(jù)不同的輸入信號(hào)可以置1或0狀態(tài)。
3、 由于電路結(jié)構(gòu)形式的不同,觸發(fā)信號(hào)的觸發(fā)方式分為:電平觸發(fā)、脈沖觸發(fā)、邊沿觸發(fā)三種。
4、 根據(jù)觸發(fā)器邏輯功能的不同,觸發(fā)器分為:SR觸發(fā)器、JK觸發(fā)器、D觸發(fā)器、T觸發(fā)器等。
5、 電平觸發(fā)方式的特點(diǎn)是:①只有當(dāng)CLK變?yōu)橛行щ娖綍r(shí),觸發(fā)器才能接受輸入信號(hào),并按照輸入信號(hào)將觸發(fā)器的輸出置成相應(yīng)的狀態(tài);②在CLK=1的全部時(shí)間里,S和R狀態(tài)的變化都可能引起輸出狀態(tài)的改變。
6、 脈沖觸發(fā)方式的特點(diǎn)是:①觸發(fā)器的翻轉(zhuǎn)分兩步動(dòng)作。第一步,在CLK=1期間主觸發(fā)器接收輸入信號(hào),從觸發(fā)器不動(dòng);第二步,CLK邊沿到來(lái)時(shí)從觸發(fā)器按照主觸發(fā)器的狀態(tài)翻轉(zhuǎn);②在CLK=1的全部時(shí)間里輸入信號(hào)都將對(duì)主觸發(fā)器起控制作用。
7、 SR觸發(fā)器的特性表為:(00維持、01置0、10置1、11不定)。 8、 SR觸發(fā)器的特性方程為:Q*=S+R’Q,SR=0 9、 SR觸發(fā)器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖為:
10、 JK觸發(fā)器的特性表為:(00維持、01置0、10置1、11翻轉(zhuǎn))。 11、 JK觸發(fā)器的特性方程為:Q*=JQ’+K’Q。 12、 JK觸發(fā)器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖為:
13、 T觸發(fā)器的特性表為:(0維持、1翻轉(zhuǎn))。 14、 T觸發(fā)器的特性方程為:Q*=TQ’+T’Q。 15、 T觸發(fā)器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖為:
16、 D觸發(fā)器的特性表為:(0置0、1置1)。
17、 D觸發(fā)器的特性方程為:Q*=D。 18、 D觸發(fā)器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖為:
第六章
1、 任一時(shí)刻的輸出信號(hào)不僅取決于當(dāng)時(shí)的輸入信號(hào),而且還取決于電路原來(lái)的狀態(tài)。具備這種邏輯功能特點(diǎn)的電路稱(chēng)為時(shí)序邏輯電路。 2、 時(shí)序電路在電路結(jié)構(gòu)上有兩個(gè)顯著的特點(diǎn):第一,時(shí)序電路通常包含組合電路和存儲(chǔ)電路兩個(gè)組成部分,而存儲(chǔ)電路是必不可少的;第二,存儲(chǔ)電路的輸出狀態(tài)必須反饋到組合電路的輸入端,與輸入信號(hào)一起,共同決定組合邏輯電路的輸出。
3、 時(shí)序電路中有分同步時(shí)序電路和異步時(shí)序電路。在同步時(shí)序電路中,所有觸發(fā)器狀態(tài)的變化都是在同一時(shí)鐘信號(hào)操作下同時(shí)發(fā)生的。而在異步時(shí)序電路中,觸發(fā)器狀態(tài)的變化不是同時(shí)發(fā)生的。
4、 時(shí)序電路的邏輯功能可以用輸出方程、驅(qū)動(dòng)方程和狀態(tài)方程全面描述。
5、 分析同步時(shí)序電路一般按如下步驟進(jìn)行:①?gòu)慕o定的邏輯圖中寫(xiě)出每個(gè)觸發(fā)器的驅(qū)動(dòng)方程;②將得到的這些驅(qū)動(dòng)方程代入相應(yīng)觸發(fā)器的特性方程,得出每個(gè)觸發(fā)器的狀態(tài)方程,從而得到,由這些狀態(tài)方程組成的整個(gè)時(shí)序電路的狀態(tài)方程組;③根據(jù)邏輯圖寫(xiě)出電路的輸出方程。
1、有關(guān)模電、數(shù)電中重點(diǎn)知識(shí)和常識(shí)的內(nèi)容。
如:采樣定律(經(jīng)常問(wèn)的)、鎖相環(huán)的原理、收音機(jī)電視機(jī)的工作原理、七層網(wǎng)絡(luò)協(xié)議(很少問(wèn))。這些是特殊的,大部分都是基礎(chǔ)內(nèi)容。還有,最好熟悉MOS管的工藝流程。
2、有關(guān)器件的內(nèi)容(看半導(dǎo)體器件物理,主要是MOS管部分,最好有點(diǎn)理解深度)
如:閾值電壓及其有關(guān)的因素、各種晶體管的工作區(qū)域、等比例縮小理論、MOS器件中的幾種效應(yīng)(襯底偏置效應(yīng)、溝道調(diào)制效應(yīng)等內(nèi)容)
3、有兩個(gè)反相器串聯(lián),在中間點(diǎn)上的電容主要是什么?
主要是負(fù)載的柵極電容和驅(qū)動(dòng)管的漏襯電容,也就是漏極和襯底所形成的PN結(jié)的勢(shì)壘電容。4、鎖相環(huán)的原理:
可參看高頻或咱學(xué)的那本模電。這個(gè)老師問(wèn)我的特別多。有個(gè)老師還問(wèn)既然鎖相環(huán)輸出的頻率追蹤輸入的頻率,頻率既然沒(méi)變,那鎖相環(huán)的作用是什么,為什么要加一級(jí)鎖相環(huán)。這個(gè)我也不會(huì),老師也沒(méi)跟我說(shuō),你可以問(wèn)一問(wèn)咱院的老師。
1、半導(dǎo)體器件為什么要越做越?。?
會(huì)引起電容小,速度快;集成度高;功耗小。
2、器件小到一定程度的時(shí)候?yàn)槭裁床荒茉傩×??為什么?huì)有一個(gè)物理上的極限?
這個(gè)我不會(huì)。咱向老師說(shuō)是由于二級(jí)效應(yīng)的存在。關(guān)于二級(jí)效應(yīng)可參看半導(dǎo)體器件那本書(shū)上關(guān)于MOS管的那一章。
3、掩模板為什么小到一定程度的時(shí)候不能再小了?
因?yàn)楹苄r(shí)光照在上面會(huì)產(chǎn)生衍射。
基本上也就這么多了??偟膩?lái)說(shuō)問(wèn)的知識(shí)點(diǎn)不多但都是很深入的。
四種反饋類(lèi)型;MOS管和BJT的區(qū)別;MOS管的靜電效應(yīng)怎么回事;怎么提高BJT的響應(yīng)速度(加鉗位電壓,用肖特基二極管構(gòu)成);
時(shí)序電路與組合電路的區(qū)別;采樣定律原理并且怎樣判斷最高信號(hào)頻率;MOS管的工作原理;怎樣把非周期信號(hào)變成周期信號(hào);
你畢業(yè)設(shè)計(jì)所做課題;你在大學(xué)期間專(zhuān)業(yè)排名。