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附錄 A 1 能 ： （ 1） 與 容 （ 2） 4壽命： 1000寫 /擦循環(huán) ) （ 3） 全靜態(tài)工作： 0 4） 三級(jí)程序存儲(chǔ)器保密鎖定 （ 5） 128*8位內(nèi)部 6） 32條可編程 I/（ 7） 兩個(gè) 16 位定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 （ 8） 6個(gè)中斷源 （ 9） 可編程串行通道 （ 10） 低功耗的閑置和掉電模式 （ 11） 片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路 2 描述 一種帶 4K 字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器（ 低電壓，高性能 稱單片機(jī)。該器件采用 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 令集和輸出管腳相兼容。由于將多功能 8 位 閃爍存儲(chǔ)器組合在單個(gè)芯片中， 一種高效微控制器，為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價(jià)廉的方案。 3 引腳配置 圖 1 框圖 供以 下標(biāo)準(zhǔn)性能： 4K 字節(jié)的閃存， 28 個(gè)字節(jié)， 32 條輸入 /輸出線，二 16位定時(shí)器或 計(jì)數(shù)器 、一個(gè) 5向量?jī)杉?jí)中斷機(jī)構(gòu)、一個(gè)全雙工串行通信端口、在芯片內(nèi)有振蕩器和時(shí)鐘電路。 另外， 且支持二種軟件可選擇的節(jié)電工作模式?？臻e方式停止 允許 時(shí)器 /計(jì)數(shù)器、串行通信口和中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存 振蕩器停止工作并禁止其他所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。 4 述 電電壓。 地。 ： 為一個(gè) 8 位漏級(jí)開路雙向 I/O 口，每腳可吸收 8電流。當(dāng) 時(shí)，被定義為高阻輸入。 可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。在 作為原碼輸入口，當(dāng) 行校驗(yàn)時(shí)， 時(shí) 位雙向 I/電流。 管腳寫入 1 后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入， 輸出電流，這是 由于內(nèi)部上拉的緣故。在 作為第八位地址接收。 位雙向 I/出 4個(gè) 1” 時(shí)，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。并因此作為輸入時(shí)， 的管腳被外部拉低，將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或 16位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí)， 給出地址 “1” 時(shí)，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì)，當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫時(shí)， 2口 在 個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/接收輸出 4個(gè) 1” 后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平， 是由于上拉的緣故。 下所示： 備選功能 行輸入口） 行輸出口） 部中斷 0） 部中斷 1） 0（記時(shí)器 0外部輸入） 1（記時(shí)器 1外部輸入） 部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通） 圖 in 部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通） 位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí)，要保持 訪問外部存儲(chǔ)器時(shí)，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在 程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時(shí)， 頻率為 振蕩器頻率的 1/6。因此它可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。然而要注意的是：每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，將跳過一個(gè) 想禁止 。此時(shí)， 令是 起作用。另外，該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài) 位無(wú)效 /部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。在由外部程序存儲(chǔ)器取指期間，每個(gè)機(jī)器周期兩次 /效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，這兩次有效的 /號(hào)將不出現(xiàn)。 / /持低 電平時(shí)，則在此期間外部程序存儲(chǔ)器（ 0000不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。注意加密方式 1 時(shí)， /內(nèi)部鎖定為 ，此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。在 引腳也用于施加 12 向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。 自反向振蕩器的輸出。 4 振蕩器特性： 別為反向放大器的輸入和輸出。該反向放大器可以配置為片內(nèi)振蕩器。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。如采用外部時(shí)鐘源驅(qū)動(dòng)器件 ， 余輸入至內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)要通過一個(gè)二分頻觸發(fā)器，因此對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的脈寬無(wú)任何要求，但必須保證脈沖的高低電平要求的寬度。 5 空閑節(jié)電模式： 在空閑工作模式狀態(tài)， 持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。此時(shí)，片內(nèi) 所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變。空閑模式可由任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期（ 24 個(gè)時(shí)鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 允許訪問其它端口。為了避免可能對(duì)端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫入指令。 6 掉電模式： 在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) 出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 位應(yīng)無(wú)效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)定工作。 7 程序存儲(chǔ)器的加密： 使用對(duì)芯片上的 3 個(gè)加密位進(jìn)行編程（ P）或不編程（ U）來(lái)得到如 下表所示的功能加密位保護(hù)功能表： 表 1 加密保護(hù)功能表 序加密位 保護(hù)類型 U U U 沒有程序保護(hù)功能 2 P U U 禁止從外部程序存儲(chǔ)器中執(zhí)行 3 P P U 除上表功能，還禁止程序校驗(yàn) 4 P P P 除以上功能外，同時(shí)禁止外部執(zhí) 當(dāng)加密位 編程時(shí)，在復(fù)位期間， 的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機(jī)上電后一直沒有復(fù)位，則鎖存起的初始值是一 個(gè)隨機(jī)數(shù)，且這個(gè)隨機(jī)數(shù)會(huì)一直保存到真正復(fù)位為止。為使單片機(jī)能正常工作，被鎖存的 平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致。 8 片機(jī)內(nèi)部有 4k 字節(jié)的 個(gè) 儲(chǔ)陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲(chǔ)單元的內(nèi)容均為 用戶隨時(shí)可對(duì)其進(jìn)行編程。編程接口可接收高電壓（ +12V）或低電壓（ 允許編程信號(hào)。低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng)，而高電壓編程模式可與通用 程器兼容。 片機(jī)中，有 些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電壓編程方式，用戶可從芯片上的型號(hào)和讀取芯片內(nèi)的名字節(jié)獲得該信息，見下表。 表 2 2v V 芯片頂面標(biāo)識(shí) 名字節(jié) （ 030H） =1 030H） =51H （ 032H） = 030H） =1 030H） =51H （ 032H） =05H 程序存儲(chǔ)器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一個(gè)字節(jié)，要對(duì)整個(gè)芯片內(nèi)的 序存儲(chǔ)器寫入一個(gè)非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲(chǔ)器的內(nèi)容清除。 9 編程方法： 編程前，須設(shè)置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號(hào)。 1) 在地址線上加上要編程單元的地址信號(hào)。 2) 在數(shù)據(jù)線上加上要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。 3) 激活相應(yīng)的控制信號(hào)。 4) 在高電壓編程方式時(shí)，將 加上 +12 5) 每對(duì) 儲(chǔ)陣列寫入一個(gè)字節(jié)或每寫入一個(gè)程序加密位，加上一個(gè) 程脈沖。改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù)，重復(fù) 1— 5 步驟，直到全部文件編程結(jié)束。每個(gè)字節(jié)寫入周期是自身定時(shí)的，通常約為 10 數(shù)據(jù)查詢： 片機(jī)用數(shù)據(jù)查詢方式來(lái)檢測(cè)一個(gè)寫周期是否結(jié)束，在一個(gè)寫周期中，如需讀取最后寫入的那個(gè)字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（ 原來(lái)寫入字節(jié)最高位的反碼。寫周期完成后，有效的數(shù)據(jù)就會(huì)出現(xiàn)在所有輸出端上，此時(shí)，可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫周期，寫周期開始后，可在任意時(shí)刻進(jìn)行數(shù)據(jù)查詢。 11 字節(jié)編程的進(jìn)度可通過 出 信號(hào)監(jiān)測(cè)，編程期間， 為高電平“ H”后 電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。編程完成后， 12 程序校驗(yàn)： 如果加密位 有進(jìn)行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)。加密位不可直接校驗(yàn)，加密位的校驗(yàn)可通過對(duì)存儲(chǔ)器的校驗(yàn)和寫入狀態(tài)來(lái)驗(yàn)證。 13 芯片擦除： 利用控制信號(hào)的正確組合（表 6）并保持 10低電平脈沖寬度即可將 k 字節(jié)）和三個(gè)加密位整片擦除，代碼陣列在片擦除操作 中將任何非空單元寫入“ 1”，這步驟需再編程之前進(jìn)行。 14 讀片內(nèi)簽名字節(jié)： 讀簽名字節(jié)的過程和單元 030H、 03132需將 回值的意義如下： （ 030H） =1明產(chǎn)品由 （ 031H） =51H 聲明為 （ 032H） =明為 12 （ 032H） =05H 聲明為 5 15 編程接口： 采用控制信號(hào)的正確組合可對(duì) 速存儲(chǔ)陣列中的每一代碼字節(jié)進(jìn)行寫入和存儲(chǔ)器的整片擦除，寫操作周期 是自身定時(shí)的，初始化后它將自動(dòng)定時(shí)到操作完成。 16 極限參數(shù) 工作溫度 ?????????????? 125℃ 儲(chǔ)藏溫度 ?????????????? 150℃ 任一腳對(duì)地電壓 ??????????? 高工作電壓 ?????????????? 流輸出電流 ?????????????? 15.0 錄 B 1. 4K 1,000 0 Hz 4 128 x 8 32 ? 6 2. is a K is s is to be or by a By a PU on a is a a to 3. 4K 128 32 I/O 6a a In is to PU to AM 4. is , TL s to be as be to be to In 0 is , of is , of to 6 In it s. to of 2 is , of of of as ) ) A on is of to is In LE is at a , be or LE is to If be by FR is a is no if is in is to is is to EA be ND in to to 000H up if is EA be on EA be CC 22to to 4. of an be as an a or be To an be is no on of to is a be 5. n PU to is by of AM be by or by a It be is by a it up to to AM in to is To of an to a is by be to a or to 6. n is is AM is is a be CC is to be to to 7. n be U) or be P) to in U U U No P U U EA is on of is 3 P P U as , is P P P as , is is at A is If is up a to a is It is A be in at in to 8. is in to be a 12or a a to s is is or in 12V 5V 030H) = 1031H) = 51H (032H) = 030H) = 1031H) = 51H (032H) = 05H is in To in be 9. be To 1. on 2. on 3. of 4. A/2V 5. to a in or is no .5 , or of is 10. to of a a an of in of on a 11. of be by SY is LE to is is to 12. If B1 B2 be be of is by 13. is by of by 0 is 1”s. be be 14. by as a of 30H, 031H, 32H, 3.6 3.7 be to a as (030H) = 1EH (031H) = 51H 9032H) = 2V 032H) = 05H V 5. in be be by of is to 16. .................... ... ... ... ............... 125°C ........................... ... ... ... ............ 150°C in .............V .......................................... C ....................................................... 15.0 mA